三菱Q06UDEHCPU編程手冊CPU基本面手冊

SRAM存儲卡。
RAM容量：256KB。用于16點(diǎn)I/O。0.3至1.5mm2(AWG22至16)。安裝DIN導軌用的適配器。
用于Q35B-E、Q65B、Q00JCPU。更換用電池。
初始電壓3.0V。
更換用大容量電池模塊，帶電纜。
電流容量：18000mAh。
使用壽命：5年。
外形尺寸：98*55.2*87mm輸出點(diǎn)數：64點(diǎn)Q06UDEHCPU
輸出電壓及電流：DC12~24V；0.1A/點(diǎn)；2A/公共端。
OFF時(shí)漏電流：0.1mA。
應答時(shí)間：1ms。
32點(diǎn)1個(gè)公共端。
源型。
40針連接器。
帶熱防護。
帶浪涌吸收器。
帶保險絲。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動(dòng)時(shí)間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時(shí)的數據，
檢驗程序調試的時(shí)間等，可縮短設備故障分析時(shí)間和啟動(dòng)時(shí)間。
此外，在多CPU系統中也有助于確定CPU模塊之間的數據收發(fā)時(shí)間。
可用編程工具對收集的數據進(jìn)行分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數據變化。
并且,可將采樣跟蹤結果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過(guò)記錄數據顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。
超高速處理，生產(chǎn)時(shí)間縮短，更好的性能。
隨著(zhù)應用程序變得更大更復雜，縮短系統運行周期時(shí)間是非常必要的。
通過(guò)超高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實(shí)現以往與單片機控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過(guò)減少總掃描時(shí)間，提高系統性能，
防止任何可能出現的性能偏差。
方便處理大容量數據。
以往無(wú)法實(shí)現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時(shí)需要考慮各區域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個(gè)連續的文件寄存器，
容量最多可達4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統的32K字，
并實(shí)現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的高效運算起著(zhù)重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。輸入輸出點(diǎn)數：4096點(diǎn)。
輸入輸出元件數：8192點(diǎn)。
程序容量：26 k步。
處理速度：79ns。
程序存儲器容量：144 KB。
內置RS232通信口。
支持安裝記憶卡。
僅用于A(yíng)模式。
提升基本性能。
CPU的內置軟元件存儲器容量增加到最多60K字。
對增大的控制、質(zhì)量管理數據也可高速處理。
方便處理大容量數據。
以往無(wú)法實(shí)現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時(shí)需要考慮各區域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個(gè)連續的文件寄存器，
容量最多可達4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴展SRAM卡，方便地擴展展文件寄存器區域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統的32K字，
并實(shí)現變址修飾擴擴展到文件寄存器的所有區域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的高效運算起著(zhù)重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。