可編程控制器Q12DCCPU-V手冊三菱Q12DCCPU-V參考手冊

輸入點(diǎn)數：32點(diǎn)。
輸入電壓及電流：DC24V 4mA。
應答時(shí)間：1/5/10/20/70ms。
32點(diǎn)1個(gè)公共端。
共陽(yáng)極。
輸出點(diǎn)數：32點(diǎn)。
輸出電壓及電流：DC12-24V；0.1A/點(diǎn)；2A/公共端。
應答時(shí)間：1ms。
32點(diǎn)1個(gè)公共端、漏型；40針連接器。
帶熱保護。
帶短路保護。
帶浪涌吸收器Q12DCCPU-V
借助采樣跟蹤功能縮短啟動(dòng)時(shí)間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時(shí)的數據，
檢驗程序調試的時(shí)間等，可縮短設備故障分析時(shí)間和啟動(dòng)時(shí)間。
此外，在多CPU系統中也有助于確定CPU模塊之間的數據收發(fā)時(shí)間。
可用編程工具對收集的數據進(jìn)行分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數據變化。
并且,可將采樣跟蹤結果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過(guò)記錄數據顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。
超高速處理，生產(chǎn)時(shí)間縮短，更好的性能。
隨著(zhù)應用程序變得更大更復雜，縮短系統運行周期時(shí)間是非常必要的。
通過(guò)超高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實(shí)現以往與單片機控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過(guò)減少總掃描時(shí)間，提高系統性能，
防止任何可能出現的性能偏差。
方便處理大容量數據。
以往無(wú)法實(shí)現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時(shí)需要考慮各區域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個(gè)連續的文件寄存器，
容量最多可達4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統的32K字，
并實(shí)現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的高效運算起著(zhù)重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。擴展SRAM卡 2MB
更好的用戶(hù)體驗數據記錄功能。
記錄方便，無(wú)需程序。
只需通過(guò)專(zhuān)門(mén)的配置工具向導輕松完成設置，
便可將收集的數據以CSV格式保存到SD存儲卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng )建各種參考資料，
包括日常報告、生成報表及一般報告。
這些資料可應用于啟動(dòng)時(shí)的數據分析、追溯等。輸入電壓范圍：AC100-240V。
輸出電壓：DC5V。
輸出電源：6A。
簡(jiǎn)化程序調試。
可使用帶執行條件的軟元件測試功能，在程序上的任意步，
將軟元件值更改為用戶(hù)指定值。
以往在調試特定回路程序段時(shí)，需要追加設定軟元件的程序，
而目前通過(guò)使用本功能，無(wú)需更改程序，即可使特定的回路程序段單獨執行動(dòng)作。
因此，不需要單獨為了調試而更改程序，調試操作更簡(jiǎn)單。
通過(guò)軟元件擴展，更方便創(chuàng )建程序。
位軟元件的M軟元件和B軟元件最多可擴展到60K點(diǎn)，使程序更容易理解。

自動(dòng)備份關(guān)鍵數據。
將程序和參數文件自動(dòng)保存到無(wú)需使用備份電池的程序存儲器（Flash ROM）中中，
以防因忘記更換電池而導致程序和參數丟失。
此外，還可將軟元件數據等重要數據備份到標準ROM，
以避免在長(cháng)假期間等計劃性停機時(shí)，
這些數據因電池電量耗盡而丟失。
下次打開(kāi)電源時(shí)，備份的數據將自動(dòng)恢復。