Q10UDEHCPU編程手冊三菱Q10UDEHCPUPID控制指令手冊

Q3MEM-4MBS，Q3MEM-8MBS更換用電池。10BASE-T/100BASE-T X 1通道。
無(wú)需使用PC即可滿(mǎn)足所有記錄需求的高速數據記錄儀模塊。
高速、簡(jiǎn)單、低成本，數據記錄的準確性超乎以往。
可利用以向導形式輔助實(shí)現簡(jiǎn)單設置的“高速數據記錄儀模塊配置工具”，
以及用趨勢圖顯示收集到的數據，
幫助進(jìn)行數據分析等的記錄數據顯示/分析工具“GX LogViewer"Q10UDEHCPU
通過(guò)在生產(chǎn)過(guò)程中累計各種數據，
不僅可幫助提高產(chǎn)品品質(zhì)、降低生產(chǎn)成本，還可為優(yōu)化系統，
構建高效的生產(chǎn)現場(chǎng)作出貢獻。帶標準PCMCIA接口的Q2MEM存儲器卡用的適配器。連接讀寫(xiě)2ch。
ID系統接口模塊。
ID控制器BIS M-688-001/002是可直接安裝到Q系列的基板上，
通過(guò)可編程控制器指令讀寫(xiě)ID標簽數據的控制模塊。
BIS M-688-002的梯形圖與QD35ID1/2兼容。
可連接2個(gè)天線(xiàn)，還可同時(shí)進(jìn)行2通道的并行處理。
可使用BIS M系列的所有ID標簽。
巴魯夫ID系統/BIS系列是可利用電磁結合方式讀寫(xiě)數據的工業(yè)自動(dòng)化ID系統。
ID標簽具有多種尺寸和存儲容量。輸入點(diǎn)數：伺服外部信號32點(diǎn)，8軸。
輸入方式：源型/漏型。
輸入輸出占用點(diǎn)數：32點(diǎn)。
方便處理大容量數據。
以往無(wú)法實(shí)現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時(shí)需要考慮各區域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個(gè)連續的文件寄存器，
容量最多可達4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統的32K字，
并實(shí)現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的高效運算起著(zhù)重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。輸入：4通道。
熱電偶(JIS C1602~1995)。
微電壓(-100mV~100mV) 。
轉換速度：(采樣周期x3)/1通道。
18點(diǎn)端子臺。
最適合用于過(guò)程控制的隔離模擬量模塊。
可通過(guò)連接熱電偶/熱電阻來(lái)收集溫度數據。
產(chǎn)品可選擇多通道（ 8通道）輸入型和通道隔離型。
客戶(hù)可根據預期用途選擇最適合的型號。
自動(dòng)備份關(guān)鍵數據
將程序和參數文件自動(dòng)保存到無(wú)需使用備份電池的程序存儲器（Flash ROM）中，
以防因忘記更換電池而導致程序和參數丟失。
此外，還可將軟元件數據等重要數據備份到標準ROM，
以避免在長(cháng)假期間等計劃性停機時(shí)，
這些數據因電池電量耗盡而丟失。
下次打開(kāi)電源時(shí)，備份的數據將自動(dòng)恢復。
縮縮短系統停機復原時(shí)間。
只需簡(jiǎn)單的操作，即可將CPU內的所有數據備份到存儲卡中。
通過(guò)定期備份，可始始終將最新的參數、程序等保存到存儲卡。
在萬(wàn)一發(fā)生CPU故障時(shí)，在更換CPU后，可通過(guò)簡(jiǎn)單的操作，
通過(guò)事前備份了數據的存儲卡進(jìn)行系統復原。
因此，無(wú)需花費時(shí)間管理備份數據，也可縮短系統停機時(shí)的復原時(shí)間。